霭是什么结构的字

霭是什么结构的字的相关图片

长鑫存储取得半导体储存器结构及其字线制造方法专利,采用新技术...长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器结构及其字线制造方法“授权公告号CN110534480B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示,本发明提供一种半导体储存器结构及其字线制造方法,该制造方法在衬底中制备出多重式的字线凹槽,字线凹槽由深度不同的第一字线凹槽与后面会介绍。

∩▂∩

三星取得集成电路器件及其制造方法专利,实现线结构、绝缘结构、...金融界2024年3月13日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示,一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错等我继续说。

长鑫存储申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利,增加单个存储...目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁;于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度好了吧!

ˋ▽ˊ

原创文章,作者:舞阳县第一高级中学,如若转载,请注明出处:http://wyyg.net.cn/g9fupm9v.html

发表评论

登录后才能评论