数据结构树的层数_数据结构树的例题

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...数据模型维度的解耦方法、系统、设备和存储介质专利,降低数据层和...本发明提供一种基于数据模型维度的解耦方法、系统、设备和存储介质,该方法包括:根据业务需求构建业务层的初始模型,业务层执行结构化查询语言获得数据库查询结果;通过数据层的解耦对象关系映射框架修饰初始模型,获得业务数据模型;解析业务数据模型,生成数据模型实体,并对数是什么。

酒钢宏兴申请工业控制层网络混合连接组态结构及方法专利,突破了...2块新增1756‑EN2T模块之间通过双绞线连接。本发明将工业控制层网络通过两种不同的介质交换数据的网络结构(ControlNet网络、EtherNet/IP网络)进行硬件连接组态,将两种不同介质传输数据的通讯模块进行数据交换和通讯,突破了工业控制层网络不同介质的网络结构通讯数据的局等会说。

三星申请数据存储结构专利,该专利技术能实现引发电介质层的金属...金融界2024年2月27日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“数据存储结构、制造其的方法和包括其的半导体器件“公开号CN117615582A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,一种数据存储结构可以包括下电极、在下电极上的电介质层和在电介质层上的上后面会介绍。

颀中科技获得发明专利授权:“晶圆表面介电层的制备方法、晶圆结构...证券之星消息,根据企查查数据显示颀中科技(688352)新获得一项发明专利授权,专利名为“晶圆表面介电层的制备方法、晶圆结构及凸块的成型方法”,专利申请号为CN202110735094.7,授权日为2024年7月16日。专利摘要:本发明公开了一种晶圆表面介电层的制备方法、晶圆结构及凸等会说。

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...获得实用新型专利授权:“适用于大体积混凝土层雾状喷洒的出水结构”证券之星消息,根据企查查数据显示天健集团(000090)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“适用于大体积混凝土层雾状喷洒的出水结构”,专利申请号为CN202322856276.7,授权日为2024年7月16日。专利摘要:本实用新型涉及出水结构技术领域,公开了适用于大体积混凝土层雾状喷等会说。

苹果公司申请有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构专利,可...金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,苹果公司申请一项名为“有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构“公开号CN117500327A,申请日期为2017年1月。专利摘要显示,本公开涉及有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构,公开了可具有被形成在基板上的薄膜晶体说完了。

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三星申请半导体器件专利,提高数据存储结构的连接效率字线,在第二分离层下方,该字线沿第二方向延伸,并嵌入衬底中;位线,沿第一方向延伸,并连接到有源区的第二区域;接触结构,在位线的侧表面上,并连接到焊盘层;以及数据存储结构,在接触结构上,并连接到接触结构。第一分离层包括气隙或介电常数小于氮化硅的介电常数的材料。本文源自等会说。

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长鑫存储申请半导体结构专利,提高了半导体结构的I/O传输数据的稳定性位于相邻的字线之间的介质层内有具有空气隙。本公开在增加相邻的字线之间的间距的同时,也降低位于相邻的字线之间的介质层的介电常数,最大程度降低相邻的字线之间的寄生电容,降低了寄生电容对半导体结构的干扰,提高了半导体结构的I/O传输数据的稳定性。本文源自金融界

...的结构、制备方法和磁性随机存储器专利,提高高温下数据读取的准确性金融界2023年12月5日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“磁性存储单元的结构、制备方法和磁性随机存储器“公开号CN117174129A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种磁性存储单元和磁性存储器,本申请提供的磁性存储单元包是什么。

经纬恒润-W申请总线数据处理专利,解决总线数据在缓存层内存占用过...北京经纬恒润科技股份有限公司申请一项名为“一种总线数据的处理方法及装置“公开号CN117579416A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明提供一种总线数据的处理方法及装置,在缓存层将总线数据赋值到RxService结构类型的第一静态变量,将第一静态变量中的总线数据后面会介绍。

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