结晶体是怎么形成的

结晶体是怎么形成的的相关图片

中芯集成-U 申请半导体专利,在晶体管与第一半导体材料层之间形成隔离在第二表面侧形成凹槽,凹槽由第二表面向第一表面延伸贯穿牺牲层;在凹槽内填充材料以形成支撑结构;在第二表面侧形成正面器件结构,正面器件结构包括晶体管;在第一表面侧形成释放孔,释放孔由第一表面向第二表面延伸直至暴露牺牲层;通过释放孔去除至少部分牺牲层,以在被去除的小发猫。

晶盛机电申请“晶体生长图像拼接方法及基于生长监测图像的检测方法...将多个拼接区域图像按照对应的晶体生长图像的采集时间顺序,以所述基准像素点为中心依次旋转目标角度后进行拼接,得到所述晶体的生长监测图像,所述目标角度基于对应的晶体生长图像的采集时间顺序和所述拼接数量确定,解决了晶体生长图像的缺陷特征不完整导致缺陷误判的问题好了吧!

≥△≤

台积电取得晶体管及其形成方法专利,可实现优化的晶体管形成方式金融界2023年12月5日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“晶体管及其形成方法“授权公告号CN108231588B,申请日期为2017年10月。专利摘要显示,一种方法包括形成伪栅极堆叠件,形成介电层,其中伪栅极堆叠件位于介电层中,去除伪栅极堆叠还有呢?

台积电申请场效应晶体管和形成半导体结构的方法专利,使场效应晶体...金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“场效应晶体管和形成半导体结构的方法“公开号CN202410175854.7,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,场效应晶体管包括:源极侧掺杂阱、漂移区域阱、源极区域、漏极区域;浅沟槽等会说。

∩△∩

台积电申请半导体器件及其制造方法专利,实现在晶体管周围形成垂直...金融界2024年4月16日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法“公开号CN117894681A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,一种用于在晶体管周围形成垂直栅极的方法,包括在下源极/漏极区上形成半导体层的堆叠。半等会说。

∪▂∪

长鑫存储取得晶体管及其形成方法、半导体器件专利,有利于提高半...金融界2024年2月8日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶体管及其形成方法、半导体器件“授权公告号CN108511518B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示,本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。由于晶体管的栅极介质层在不同区域好了吧!

台积电取得半导体晶体管及其形成方法、及半导体器件专利,实现半...金融界2024年2月5日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体晶体管及其形成方法、及半导体器件“授权公告号CN113380898B,申请日期为2021年5月。专利摘要显示,一种半导体晶体管,包括沟道结构,该沟道结构包括沟道区域和位于沟道区小发猫。

ˋ△ˊ

长鑫存储取得晶体管及其形成方法、半导体器件专利,改善晶体管的短...金融界2023年12月9日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶体管及其形成方法、半导体器件“授权公告号CN107819031B,申请日期为2017年10月。专利摘要显示,本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。通过将栅极结构部分偏移至凹槽中等我继续说。

(^人^)

台积电取得鳍式场效应晶体管器件及其形成方法专利,专利技术能实现...金融界2024年3月25日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“鳍式场效应晶体管器件及其形成方法“授权公告号CN111261519B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示,本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。在实施例中,一种形成半导体好了吧!

(`▽′)

北京大学申请自对准晶体管专利,可形成鳍型场效应晶体管和纳米片场...北京大学申请一项名为“自对准晶体管的制备方法、自对准晶体管、器件及设备”,公开号CN117293090A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本申请提供一种自对准晶体管的制备方法、自对准晶体管、器件及设备,该方法包括:在衬底的沟道区上形成硬掩模和侧墙结构;基于硬掩模和等会说。

原创文章,作者:舞阳县第一高级中学,如若转载,请注明出处:http://wyyg.net.cn/3sl8e1d2.html

发表评论

登录后才能评论